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2SD1413中文资料

  • 大小:276.81KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 17/09/2016 Rev:02 TOP DYNAMIC 2SD1413 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor High power switching applications and hammer driver, pulse motor driver applications. Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 150 V Collector Emitter Voltage V CEO 100 V Emitter Base Voltage V EBO 7 V Collector Current I C 5 A Base Current I B 0.5 A Power Dissipation (T c = 25 O C) P C 25 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 2 V, I C = 3 A at V CE = 2 V, I C = 5 A h FE h FE 2000 500 - - 15000 - - - Collector Base Cutoff Current at V CB = 100 V I CBO - - 1 mA Collector Emitter Breakdown Voltage at I C = 10 mA V (BR)CEO 100 - - V Collector Emitter Saturation Voltage at

2SD1413供应商

更新时间:2023-01-04 02:18:23
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